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手机字库内存收购多少钱一斤?

2018-6-13 16:42:05      点击:
  在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND快闪存储器中,所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)单元,手机IC收购多少钱一斤?是利用管线式(pipe)闸极连接每一个NAND字串(NAND string);从其布局可见,该芯片包含4个平面(plane)以及双面字元线手机字库内存收购多少钱一斤?开关/解码器(two-sided wordline switches/decoders)。

  该存储器阵列的功率约57%,是因为相对较大的存储器与其他周边;而SK Hynix的36L与48L产品存储器阵列功率则别离为67.5%与64.0%。此趋势显现SK Hynix应该会为下一代芯片开发尺度更细巧的设计。

  三星(Samsung)以及东芝/WD (Toshiba/Western Digital)的64L 3D TLC NANS裸晶,有超过65%的存储器阵列功率;不过以上的存储器芯片尺度以及功用则都差不多。

  SK Hynix 72L NAND快闪存储器的位元密度为3.55 Gbits/mm2,高于Samsung/WD之64L芯片;而美光/英特尔(Micron/Intel)的64L 3D NAND芯片是4种解决方案中位元密度最高的,首要是因为选用名为CuA (CMOS under the array)的共同砖式(title)布局。

  在3D NAND存储器单元架构方面,SK Hynix芯片堆叠了总共82个闸极,包含选择器(selector)与虚设字元线(dummy wordlines,DWL);咱们知道有72个闸极是用于自动字元线单元,而最上方的三个闸极则是用于源极与汲极的选择器闸极(selector gates,SG),手机IC收购多少钱一斤?剩余的7个闸极应该是用于DWL以及阻隔闸极(isolation gates)。

  在各家厂商的64L NAND元件中咱们看到:

  Samsung选用了总数71个闸极,其间有3个用于SG,4个用于DWL;

  Toshiba/WD产品的闸极总数为73个,手机IC收购多少钱一斤?其间7个用于SG,2个用于DWL;

  Micron/Intel产品的闸极总数为76个,其间2个用于SG,7个用于DWL。

  笔直单元功率计算方法,是自动字元线的数量除以笔直堆叠闸极的总数;其手机字库内存收购多少钱一斤?成果就是该3D NAND存储器单元架构的流程功率。SK Hynix 72L产品的笔直单元功率为87.8%,Toshiba/WD的64L BiCS产品也是一样;Samsung的64L产品功率则为90.1%,而Micron/Intel的64L产品功率则为84.2%,如下图所示。

  SK Hynix从前的36L与48L产品是选用单过程蚀刻制程来制造别离为43个与55个闸极总数的通道电手机字库内存收购多少钱一斤?洞(channel holes);新一代的72L存储器单元则是选用两过程蚀刻制程来制造通到电洞。在管线闸极上,较低的42个闸极以及较上方的40个闸极,手机IC收购多少钱一斤?别离是以两个不同的蚀刻过程构成。而狭缝(slits)与子狭缝(sub-slits)则是以单过程蚀刻构成,制程整合程序如下:

 
  

  Micron/Intel的64L产品选用双堆叠NAND字串架构,手机IC收购多少钱一斤?在上部与下部堆叠之间有一个平板(plate);而SK Hynix的72L产品则是选用两过程蚀刻制程,而非双堆叠NAND字串,工程师必需要严密控制制程过程,以防止上下部位的通道电洞未对齐;该电洞的尺度在256 Gbit 72L产品约只要10纳米。更多关于SK Hynix 72L NAND快闪存储器的剖析,请点此连接阅览。